BSC046N02KS G
Номер детали производителя | BSC046N02KS G |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 |
Упаковка | |
В наличии | 238414 pcs |
Техническая спецификация | BSC046N02KS G |
Справочная цена (В долларах США)
5000 | 10000 |
---|---|
$0.179 | $0.172 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 238414 Infineon Technologies BSC046N02KS G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Напряжение - испытания | 4100pF @ 10V |
Напряжение - Разбивка | PG-TDSON-8 |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4.6 mOhm @ 50A, 4.5V |
Vgs (макс.) | 2.5V, 4.5V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Серии | OptiMOS™ |
Статус RoHS | Tape & Reel (TR) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19A (Ta), 80A (Tc) |
поляризация | 8-PowerTDFN |
Другие названия | BSC046N02KS G-ND BSC046N02KS GTR BSC046N02KSG BSC046N02KSGAUMA1 SP000379666 |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Уровень влажности (MSL) | 3 (168 Hours) |
Стандартное время изготовления | 16 Weeks |
Номер детали производителя | BSC046N02KS G |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 27.6nC @ 4.5V |
Тип IGBT | ±12V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 1.2V @ 110µA |
FET Характеристика | N-Channel |
Расширенное описание | N-Channel 20V 19A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | - |
Описание | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 20V |
Коэффициент емкости | 2.8W (Ta), 48W (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
BSC040N10NS5SCATMA1
MOSFET N-CH 100V 140A WSON-8Infineon Technologies -
BSC046N02KSGAUMA1
MOSFET N-CH 20V 19A/80A TDSONInfineon Technologies -
BSC042NE7NS3G
BSC042NE7 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSC042NE7NS3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC0504NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSONInfineon Technologies -
BSC042N03S G
MOSFET N-CH 30V 20A/95A TDSONInfineon Technologies -
BSC040N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSONInfineon Technologies -
BSC0501NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC0503NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSONInfineon Technologies -
BSC040N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A TDSONInfineon Technologies -
BSC0500NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC042N03ST
MOSFET N-CH 30V 20A/50A TDSONInfineon Technologies -
BSC042NE7NS3 G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC046N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC048N025S G
MOSFET N-CH 25V 19A/89A TDSONInfineon Technologies -
BSC042N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSONInfineon Technologies -
BSC050N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSONInfineon Technologies -
BSC042N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 17A/93A TDSONInfineon Technologies -
BSC047N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC0502NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSONInfineon Technologies